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AKE的HG166A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的可靠性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域（诸如安防、精密设备制造等）。器件内部集成了电压调整器，霍尔电压发生器，线性放大器和射极跟随器组。HG166A处于零磁场环境是输出端静电压为零，当南极磁场靠近器件表面是，输出静电压随着磁场强度的增加而线性增加；反之，当南极磁场远离器件表面时，输出静电压随着磁场强度的增加而线性递减。

HG166A适用于测量磁量、电量和非电量。磁测量有高斯计、弱磁场磁强计、霍尔罗盘等。电测量及电磁转换有电流、功率、电磁转矩、频率和相位测量，低电平直流—交流转换器，无触点电位器等